英特尔将于2017年迈向7nm工艺

日期: 2011-06-07 来源:TechTarget中国

  Intel技术与制造事业部副总裁、元件研究主管Mike Mayberry今天公布了一份半导体工艺路线图,展示了Intel在未来几年的制造工艺规划情况。

  按照这份路线图,Intel的半导体工艺将继续严格执行Tick-Tock策略,每两年升级一次。目前正在开发的是22nm工艺,预计下半年量产、明年上半年发布。接下来,2013年就会转入14nm,2015年继续进步到10nm。

  再往后到了2017年的时候,Intel将为我们带来7nm,这也是半导体工艺第一次进入个位数时代。至于2019年到底采用何种工艺,Intel仍在研究之中。

英特尔,7nm工艺

  为了保证这种稳定而快速的前进脚步,Intel时刻都在关注和选择最新的半导体制造技术,未来几年的主要研究对象有3-D三栅极晶体管、III-V族复合物、光学互连、计算光刻、高K锗、原材料合成、高密度内存、纳米线等等。

英特尔,7nm工艺
半导体制造技术的研究方向

英特尔,7nm工艺
目前的关注重点

英特尔,7nm工艺
互连方面亟待革新

英特尔,7nm工艺
多重选择

十几年下来,Intel工艺的每次升级都能带来30-40%的进步幅度,强大的研发实力令人羡慕,摩尔定律的神话也一直被延续下来。也许正如Intel说的那样:“摩尔定律并不是自然规律,而是一种持续创新的期望。”

英特尔,7nm工艺

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